Micro-LED巨量转移技术的难点与突破全解析（一）

　　1. Micro-LED巨量转移技术的重要性

　　巨量转移技术是Micro-LED显示技术中的关键步骤，旨在将大量微小的LED芯片从生长基板高效、精确地转移到目标驱动基板上，以构建高密度、高质量的显示阵列。由于Micro-LED的尺寸远小于常规LED，转移过程具有极高的挑战性，尤其是在数量、速度、精度、良率、稳定性和成本方面。因此，巨量转移技术成为了Micro-LED技术实现大规模产业化的关键所在。

　　2.Micro-LED巨量转移技术的挑战

　　 Micro-LED巨量转移技术的主要挑战在于高效率转移、高可靠性键合、快速检测和修复。由于一个显示屏通常需要转移数十万乃至上千万颗LED芯片，对转移过程的精度、效率、稳定性等要求极高。高可靠性键合是指Micro-LED器件与背板结合的强度需要满足产品的需求，避免产品使用过程中的新增坏点问题。快速检测和修复是指能够快速、准确地定位到屏体上坏点位置，并进行替换，实现屏体的100%点亮。这些挑战直接影响了Micro-LED技术的大规模产业化进程。

　　3. 辰显光电如何提高Micro-LED转移效率和良率

　　辰显光电通过采用印章转移和激光转移技术相结合的方法，大幅提升了Micro-LED转移的效率。印章转移技术以其高精度和成熟的产业链特点，在Micro-LED芯片的转移过程中提供了稳定性和可靠性，但其转移效率相对较低。激光转移技术以其高效率和灵活性优势，在Micro-LED芯片的转移中展现出了其快速和适应性强的特性，尤其适合混bin技术的开发，但精度相对较低。这两种技术的结合，使辰显光电在转移效率和精度上达到了最佳平衡。目前，辰显光电的转移效率已达到每小时1000万颗。

　　为了提升转移良率，辰显光电从99.99%的转移良率提高到99.995%仅用了3个月时间。辰显光电的技术团队不断优化印章和激光转移工艺，改善工艺流程，提升基板加工精度，从而实现高良率转移。